ADP666 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: ADP666 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO66
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для ADP666
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ADP666 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: AD702P, AD702Q, AD702R, AD702S, AD702T, AD702U, AD702V, ADP665, 2SC2655, ADP670, ADP671, ADP672, ADY10, ADY11, ADY12, ADY13, ADY14
History: AD702R | KFY18 | 2SC5321 | AC192
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet
