Биполярный транзистор ADP670 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ADP670
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам