Биполярный транзистор 2N2580 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2580
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO36
Другие транзисторы... 2N257 , 2N2570 , 2N2571 , 2N2572 , 2N257B , 2N257G , 2N257W , 2N258 , 2SD669A , 2N2580M , 2N2581 , 2N2582 , 2N2583 , 2N2584 , 2N2585 , 2N2586 , 2N2587 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050