AF110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF110  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 270 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF110 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: AF105, AF106, AF106A, AF106N, AF107, AF108, AF109, AF109R, 2N5401, AF111, AF112, AF113, AF114, AF114N, AF115, AF115N, AF116