AF112 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF112  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.065 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF112 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: AF106A, AF106N, AF107, AF108, AF109, AF109R, AF110, AF111, BC548, AF113, AF114, AF114N, AF115, AF115N, AF116, AF116N, AF117