Биполярный транзистор AF117N Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: AF117N
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO44
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам