AF117N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF117N  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO44

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF117N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF117N даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: AF113, AF114, AF114N, AF115, AF115N, AF116, AF116N, AF117, BD140, AF118, AF121, AF121-07, AF121S, AF122, AF122BL, AF122Y, AF124