AF200U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF200U  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF200U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF200U даташит

 9.1. Size:79K  1
 af195 af197 af198 af199 af200 af201 af202 af239 af240 af251 af252 af253 af254 af256 af257 af260 af261 af263.pdf pdf_icon

AF200U

 9.2. Size:106K  renesas
 haf2007l haf2007s.pdf pdf_icon

AF200U

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.3. Size:1501K  cn vbsemi
 haf2007-90s.pdf pdf_icon

AF200U

HAF2007-90S www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.085 at VGS = 4.5 V 13.2 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters Mo

Другие транзисторы: AF192, AF193, AF194, AF195, AF196, AF197, AF198, AF200, 2N2907, AF201, AF201U, AF202, AF202L, AF202S, AF239, AF239S, AF240