Биполярный транзистор AF339 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: AF339
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.012 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам