AF339 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF339  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.012 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF339

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF339 даташит

Другие транзисторы: AF284IV, AF284V, AF284VI, AF284VII, AF284VIII, AF289, AF290, AF306, MJE340, AF367, AF369, AF379, AF426, AF427, AF428, AF429, AF430