AF339 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AF339 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.012 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AF339
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AF339 даташит
af264 af265 af266 af267 af268 af269 af271 af272 af275 af279 af280 af282 af284 af289 af306 af339 af367 af369 af379 afy10.pdf
Другие транзисторы: AF284IV, AF284V, AF284VI, AF284VII, AF284VIII, AF289, AF290, AF306, MJE340, AF367, AF369, AF379, AF426, AF427, AF428, AF429, AF430
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792

