AF367 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF367  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO51

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF367

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF367 даташит

Другие транзисторы: AF284V, AF284VI, AF284VII, AF284VIII, AF289, AF290, AF306, AF339, 2SC1815, AF369, AF379, AF426, AF427, AF428, AF429, AF430, AF439