BC112G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC112G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 280

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC112G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC112G даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BC109C, BC109CP, BC109CSM, BC109P, BC109QF, BC110, BC111, BC112, 8550, BC112R, BC112Y, BC113, BC113A, BC114, BC114A, BC115, BC116