BC123 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: X16

 Аналоги (замена) для BC123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC123 даташит

 ..1. Size:218K  siemens
bc121 bc122 bc123.pdfpdf_icon

BC123

 0.1. Size:103K  onsemi
nsbc123jpdxv6.pdfpdf_icon

BC123

MUN5335DW1, NSBC123JPDXV6, NSBC123JPDP6 Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com NPN and PNP Transistors with Monolithic PIN CONNECTIONS Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a singl

 0.2. Size:103K  onsemi
nsbc123jpdp6.pdfpdf_icon

BC123

MUN5335DW1, NSBC123JPDXV6, NSBC123JPDP6 Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com NPN and PNP Transistors with Monolithic PIN CONNECTIONS Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a singl

 0.3. Size:106K  onsemi
nsbc123tpdp6.pdfpdf_icon

BC123

NSBC123TPDP6 Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 8 kW NPN and PNP Transistors with Monolithic http //onsemi.com Bias Resistor Network PIN CONNECTIONS This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor (3) (2) (1) Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias

Другие транзисторы: BC121G, BC121W, BC121Y, BC122, BC122B, BC122G, BC122U, BC122W, 2SD669, BC123G, BC123W, BC123Y, BC125, BC125A, BC125B, BC126, BC126A