Биполярный транзистор BC161-10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC161-10
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO39
BC161-10 Datasheet (PDF)
bc161-16rev0d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC16116/DAmplifier TransistorsPNP SiliconBC161-16COLLECTOR32BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGS321Rating Symbol Value UnitCASE 7904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 60 VdcTO39 (TO205AD)CollectorBase Voltage VCBO 60 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Curren
bc161-16.pdf
BC161-16GENERAL PURPOSE TRANSISTORPRELIMINARY DATADESCRIPTION The BC161-16 is a silicon Planar Epitaxial PNPtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isparticularly designed for audio amplifiers andswitching application up to 1A. The complementary NPN type is the BC141-16.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collecto
bc160 bc161.pdf
Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC160; BC161FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector, connected to case General purpose applications.DESCRIPTION 1handbook, halfpage32PNP medium power transistor in a TO-39 metal package.NPN complements: B
bc160-bc161.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D110BC160; BC161PNP medium power transistorsProduct specification 1997 May 12Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC160; BC161FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2
bc160-bc161.pdf
BC160BC161GENERAL PURPOSE TRANSISTORSDESCRIPTIONThe BC160, and BC161 are silicon planar epitaxialPNP transistors in TO-39 metal case.They are par-ticurlarly designed foraudio amplifiers and switchingapplications up to 1A. The complementary NPNtypes are the BC140 and BC141.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSValueSymbol Parameter UnitBC160 BC161VC
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050