2N2640DCSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2640DCSM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 32 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для 2N2640DCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2640DCSM даташит

 8.1. Size:148K  motorola
 2n2639 2n2640-44.pdf pdf_icon

2N2640DCSM

 9.1. Size:489K  philips
 2n2646.pdf pdf_icon

2N2640DCSM

 9.2. Size:62K  central
 2n2646 2n2647.pdf pdf_icon

2N2640DCSM

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:116K  comset
 2n2647.pdf pdf_icon

2N2640DCSM

2N2646 2N2647 SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Silicon Planar Unijunction Transistors have a structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as zell as a much higher base-one peak pulse voltage. In addition, these devices are much faster switches. The 2N2646 is intended for general purpose industrial applications where circuit economy is of pr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2635, 2N2636, 2N2637, 2N2638, 2N2639, 2N2639DCSM, 2N264, 2N2640, BD335, 2N2641, 2N2641DCSM, 2N2642, 2N2642DCSM, 2N2643, 2N2643DCSM, 2N2644, 2N2644DCSM