Биполярный транзистор 2N2641DCSM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2641DCSM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 32 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
Корпус транзистора: LCC2
Аналоги (замена) для 2N2641DCSM
2N2641DCSM Datasheet (PDF)
2n2646 2n2647.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n2647.pdf
2N2646 2N2647 SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Silicon Planar Unijunction Transistors have a structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as zell as a much higher base-one peak pulse voltage. In addition, these devices are much faster switches. The 2N2646 is intended for general purpose industrial applications where circuit economy is of pr
2n2646 2n2647.pdf
Boca Semiconductor Corp. (BSC)http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com
Другие транзисторы... 2N2637 , 2N2638 , 2N2639 , 2N2639DCSM , 2N264 , 2N2640 , 2N2640DCSM , 2N2641 , TIP42 , 2N2642 , 2N2642DCSM , 2N2643 , 2N2643DCSM , 2N2644 , 2N2644DCSM , 2N2645 , 2N2648 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050