2N2649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 85 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N2649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2649 даташит

 9.1. Size:148K  motorola
2n2639 2n2640-44.pdfpdf_icon

2N2649

 9.2. Size:489K  philips
2n2646.pdfpdf_icon

2N2649

 9.3. Size:62K  central
2n2646 2n2647.pdfpdf_icon

2N2649

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.4. Size:116K  comset
2n2647.pdfpdf_icon

2N2649

2N2646 2N2647 SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Silicon Planar Unijunction Transistors have a structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as zell as a much higher base-one peak pulse voltage. In addition, these devices are much faster switches. The 2N2646 is intended for general purpose industrial applications where circuit economy is of pr

Другие транзисторы: 2N2642, 2N2642DCSM, 2N2643, 2N2643DCSM, 2N2644, 2N2644DCSM, 2N2645, 2N2648, 2SD313, 2N265, 2N2650, 2N2651, 2N2652, 2N2652A, 2N2654, 2N2655, 2N2656