Биполярный транзистор BC213C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC213C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
Корпус транзистора: TO92
BC213C Datasheet (PDF)
bc212 bc213 bc214.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC212/DAmplifier TransistorsBC212,BPNP SiliconBC213COLLECTORBC21432BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC BC212 213 214Rating Symbol UnitCASE 2904, STYLE 17TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 50 30 30 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 45 45 VdcEmitte
bc213l.pdf
BC213LPNP General Purpose Amplifier This device is deisgned for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from process 68. See PN200 for Characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -30 VV
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050