Биполярный транзистор 2G605 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2G605
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2G525 , 2G526 , 2G527 , 2G577 , 2G601 , 2G602 , 2G603 , 2G604 , S8050 , 2H1254 , 2H1255 , 2H1256 , 2H1257 , 2H1258 , 2H1259 , 2N100 , 2N1000 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050