BC237BP - описание и поиск аналогов

 

BC237BP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC237BP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC237BP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC237BP даташит

 8.1. Size:51K  philips
bc237 bc237b 2.pdfpdf_icon

BC237BP

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC237; BC237B NPN general purpose transistors 1997 Sep 04 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 06 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors BC237; BC237B FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (m

 8.2. Size:59K  onsemi
bc237b.pdfpdf_icon

BC237BP

BC237B Amplifier Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc Collector-Emitter Voltage VCES 50 Vdc 3 Collector-Emitter Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current - Continuous IC 100 mAdc Total Power Dissipation @ TA = 25 C PD 350 mW

 9.1. Size:112K  motorola
bc237 bc238 bc239.pdfpdf_icon

BC237BP

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC237/D Amplifier Transistors BC237,A,B,C NPN Silicon BC238B,C BC239,C COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 BC BC BC 237 238 239 Rating Symbol Unit CASE 29 04, STYLE 17 TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 45 25 25 Vdc Collector Emitter Voltage VCES 50 30 30 Vdc Emitter Ba

 9.2. Size:45K  fairchild semi
bc237.pdfpdf_icon

BC237BP

BC237/238/239 Switching and Amplifier Applications Low Noise BC239 TO-92 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Collector 2. Base 3. Emitter Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage BC237 50 V BC238/239 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage BC237 45 V BC238/239 25 V VEBO Emitter-Base Voltage B

Другие транзисторы: BC236, BC237, BC237-92, BC237A, BC237A-92, BC237AP, BC237B, BC237B-92, 2SD313, BC237C, BC237C-92, BC238, BC238-92, BC238A, BC238A-92, BC238AP, BC238B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.