Биполярный транзистор BC237C-92 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC237C-92
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 450
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BC237C-92
BC237C-92 Datasheet (PDF)
bc237 bc238 bc239.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC237/DAmplifier TransistorsBC237,A,B,CNPN SiliconBC238B,CBC239,CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC BC237 238 239Rating Symbol UnitCASE 2904, STYLE 17TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 45 25 25 VdcCollectorEmitter Voltage VCES 50 30 30 VdcEmitterBa
bc237 bc237b 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC237; BC237BNPN general purpose transistors1997 Sep 04Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 06File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC237; BC237BFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (m
bc237.pdf
BC237/238/239Switching and Amplifier Applications Low Noise: BC239TO-921NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage : BC237 50 V : BC238/239 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage : BC237 45 V : BC238/239 25 VVEBO Emitter-Base Voltage : B
bc237 bc238 bc239.pdf
BC237/238/239 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS LOW NOISE: BC239 TO-92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Emitter Voltage VCES V:BC237 50 VBC238/239 30Collector-Emitter Voltage VCEO:BC237 45 VBC238/239 25 VEmitter-Base Voltage VEBO:BC237 6 VBC238/239 5 VCollector Current (DC) IC 100 mA
bc237b.pdf
BC237BAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector-Emitter Voltage VCEO 45 VdcCollector-Emitter Voltage VCES 50 Vdc3Collector-Emitter Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current - Continuous IC 100 mAdcTotal Power Dissipation @ TA = 25C PD 350 mW
bc237 bc238 bc239.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC237,238, A,B,CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC239, B,CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with "T"EBCAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC237 BC238 BC239 UNITSCollector Emitter Voltage VCE
bc237 bc238 bc239.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsBC237 / BC238 / BC239 TRANSISTOR (NPN)FEATURES TO-92 Amplifier dissipation NPN Silicon 1. COLLECTOR 2. BASE BC237 BC238 BC239 3. EMITTER XXX XXX XXX1 1 1Equivalent Circuit BC237,BC238,BC239=Device code Solid dot=Green molding compound device, if none,the normal dev
bc237 bc238 bc239.pdf
SEMICONDUCTOR BC237/8/9TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. B CFEATURES High Voltage : BC237 VCEO=45V.Low Noise : BC239 NF=0.2dB(Typ.), 3dB(Max.)N DIM MILLIMETERS(VCE=6V, IC=0.1mA, f=1kHz).A 4.70 MAXEKFor Complementary With PNP type BC307/308/309. G B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27
bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf
bc237 bc238 bc239.pdf
BC237/238/239(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features Amplifier dissipation NPN Silicon MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsDimensions in inches and (millimeters)Collector-Emitter Voltage BC237 45 VCEO V BC238/239 25 Emitter-Base Voltage BC237 6 VEBO V BC238/239 5 IC Collector C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050