Биполярный транзистор 2N2667 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N2667
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам