2N2669. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2669

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: MT27

 Аналоги (замена) для 2N2669

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2669 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N2661, 2N2662, 2N2663, 2N2664, 2N2665, 2N2666, 2N2667, 2N2668, TIP2955, 2N267, 2N2670, 2N2671, 2N2672, 2N2672A, 2N2673, 2N2674, 2N2675