Биполярный транзистор 2N2669 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2669
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: MT27
Другие транзисторы... 2N2661 , 2N2662 , 2N2663 , 2N2664 , 2N2665 , 2N2666 , 2N2667 , 2N2668 , 2N4401 , 2N267 , 2N2670 , 2N2671 , 2N2672 , 2N2672A , 2N2673 , 2N2674 , 2N2675 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050