Биполярный транзистор BC328L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC328L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC328L Datasheet (PDF)
bc327 bc328.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC327/DAmplifier TransistorsPNP SiliconBC327,-16,-25BC328,-16,-25COLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol BC327 BC328 UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 45 25 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 50 30 VdcEmitterBase Voltage
bc327 bc328.pdf

BC327/328Switching and Amplifier Applications Suitable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC337/BC338TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage : BC327 -50 V: BC328 -30 VVCEO Collector-Emitter Vo
bc327-16bk-25bk-40bk bc328-16bk-25bk-40bk.pdf

BC327-xBK / BC328-xBKBC327-xBK / BC328-xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2010-06-230.1 Power dissipation 625 mW4.6VerlustleistungPlastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gPlastic material has UL classification 94V-0C B EGehusematerial UL9
bc327 bc328 to-92.pdf

BC327-16/25/40MCCTMMicro Commercial ComponentsBC328-16/25/4020736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. Collector-curre
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N529
History: 2N529



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet