2N271. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N271

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для 2N271

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N271 даташит

 0.1. Size:61K  microelectronics
 mps2711 2n2711 mps2712 2n2712 mps2716 2n2716 mps2923 2n2923 mps2924 2n2924 mps2925 2n2925 mps3390 2n3390 mps3391 2n3391 mps3392 2n3392 mps6573 mps6574.pdf pdf_icon

2N271

 0.2. Size:1285K  sprague
 2n2711 2n2712 2n2713 2n2714 2n2923 2n2924 2n2925 2n2926 2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393 2n3394 2n3395 2n3396 2n3397 2n3398 2n3402.pdf pdf_icon

2N271

Другие транзисторы: 2N27, 2N270, 2N2706, 2N2706M, 2N2706MP, 2N2707, 2N2708, 2N2709, C1815, 2N2710, 2N2711, 2N2712, 2N2713, 2N2714, 2N2715, 2N2716, 2N2717