Биполярный транзистор BC413CP Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC413CP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 380
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC413CP Datasheet (PDF)
gc520-k gc521-k gc522-k bc413b-c kc147 kc148 kc149 kc237a-b-v kc238a-b-c kc239f-b-c kc507 kc508 kc509 kc635 kc637 kc639.pdf

bc413 bc414 b c.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC413, B, CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC414, B, CTO-92Plastic PackageEBCABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC413 BC414 UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 30 45 VCollector Base Voltage VCBO 45 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: LDTD114EET1G | FJC690 | BUP35 | 3CD910 | LMUN5234T1G
History: LDTD114EET1G | FJC690 | BUP35 | 3CD910 | LMUN5234T1G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor