Справочник транзисторов. BC635

 

Биполярный транзистор BC635 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC635
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BC635

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC635 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  motorola
bc635 bc637 bc639.pdfpdf_icon

BC635

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC635/DHigh Current TransistorsBC635NPN SiliconBC637BC639COLLECTOR23BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC BC635 637 639Rating Symbol UnitCASE 2904, STYLE 14TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 45 60 80 VdcCollectorBase Voltage VCBO 45 60 80 VdcEmitterBase Voltage

 ..2. Size:47K  philips
bc635 bc637 bc639.pdfpdf_icon

BC635

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC635; BC637; BC639NPN medium power transistorsProduct specification 2001 Oct 10Supersedes data of 1999 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BC635; BC637; BC639FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2 collectorAPPLIC

 ..3. Size:153K  philips
bc635 bcp54 bcx54.pdfpdf_icon

BC635

BC635; BCP54; BCX5445 V, 1 A NPN medium power transistorsRev. 07 4 June 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN medium power transistor series.Table 1. Product overviewType number[1] Package PNP complementNXP JEITA JEDECBC635[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC636BCP54 SOT223 SC-73 - BCP51BCX54 SOT89 SC-62 TO-243 BCX51[1] Valid for all available sele

 ..4. Size:49K  philips
bc635 bc637 bc639 3.pdfpdf_icon

BC635

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC635; BC637; BC639NPN medium power transistors1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 12Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BC635; BC637; BC639FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2 collectorAPPLI

Другие транзисторы... BC585 , BC586 , BC612 , BC612L , BC617 , BC618 , BC627 , BC628 , 2SC2240 , BC635-10 , BC635-16 , BC635-6 , BC636 , BC636-10 , BC636-16 , BC636-6 , BC637 .

History: 2N2786 | GT400-4A | NTE176 | 2N1654 | NTE17 | SZD8050 | 2N3785

 

 
Back to Top

 


 
.