Справочник транзисторов. BC638

 

Биполярный транзистор BC638 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC638
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BC638

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  motorola
bc636 bc638 bc640.pdfpdf_icon

BC638

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC636/DHigh Current TransistorsBC636PNP SiliconBC638COLLECTORBC64023BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC BC636 638 640Rating Symbol UnitCASE 2904, STYLE 14TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 45 60 80 VdcCollectorBase Voltage VCBO 45 60 80 VdcEmitt

 ..2. Size:49K  philips
bc636 bc638 bc640 3.pdfpdf_icon

BC638

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC636; BC638; BC640PNP medium power transistors1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 07Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC636; BC638; BC640FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2 collectorAPPLI

 ..3. Size:38K  fairchild semi
bc636 bc638 bc640.pdfpdf_icon

BC638

BC636/638/640Switching and Amplifier Applications Complement to BC635/637/639TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCER Collector-Emitter Voltage at RBE=1K : BC636 -45 V: BC638 -60 V: BC640 -100 VVCES Collector-Emitter Voltage : BC636 -45 V: BC6

 ..4. Size:106K  fairchild semi
bc638.pdfpdf_icon

BC638

March 2009BC638PNP Epitaxial Silicon TransistorSwitching and Amplifier Applications Complement to BC637TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCER Collector-Emitter Voltage at RBE=1K -60 VVCES Collector-Emitter Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -60 VVEBO Emitter-Base Volt

Другие транзисторы... BC635-6 , BC636 , BC636-10 , BC636-16 , BC636-6 , BC637 , BC637-10 , BC637-6 , 2SD1555 , BC638-10 , BC638-6 , BC639 , BC639-10 , BC639-6 , BC640 , BC640-10 , BC640-6 .

History: CJF6388 | BUR50 | BUR50S | 2SC2411K | 3CA683

 

 
Back to Top

 


 
.