BC640 - описание и поиск аналогов

 

BC640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC640

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC640

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC640 даташит

 ..1. Size:116K  motorola
bc636 bc638 bc640.pdfpdf_icon

BC640

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC636/D High Current Transistors BC636 PNP Silicon BC638 COLLECTOR BC640 2 3 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 BC BC BC 636 638 640 Rating Symbol Unit CASE 29 04, STYLE 14 TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 45 60 80 Vdc Collector Base Voltage VCBO 45 60 80 Vdc Emitt

 ..2. Size:136K  philips
bc640 bcp53 bcx53.pdfpdf_icon

BC640

BC640; BCP53; BCX53 80 V, 1 A PNP medium power transistors Rev. 08 22 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP medium power transistor series. Table 1. Product overview Type number[1] Package NPN complement NXP JEITA JEDEC BC640[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC639 BCP53 SOT223 SC-73 - BCP56 BCX53 SOT89 SC-62 TO-243 BCX56 [1] Valid for all available

 ..3. Size:49K  philips
bc636 bc638 bc640 3.pdfpdf_icon

BC640

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC636; BC638; BC640 PNP medium power transistors 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 07 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BC636; BC638; BC640 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 base 2 collector APPLI

 ..4. Size:38K  fairchild semi
bc636 bc638 bc640.pdfpdf_icon

BC640

BC636/638/640 Switching and Amplifier Applications Complement to BC635/637/639 TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCER Collector-Emitter Voltage at RBE=1K BC636 -45 V BC638 -60 V BC640 -100 V VCES Collector-Emitter Voltage BC636 -45 V BC6

Другие транзисторы: BC637-10, BC637-6, BC638, BC638-10, BC638-6, BC639, BC639-10, BC639-6, B647, BC640-10, BC640-6, BC650, BC650C, BC650CS, BC650D, BC650DS, BC650E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.