Справочник транзисторов. BC847BR

 

Биполярный транзистор BC847BR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC847BR
   Маркировка: 1FR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC847BR Datasheet (PDF)

 8.1. Size:123K  philips
bc847bv.pdfpdf_icon

BC847BR

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744BC847BVNPN general purpose double transistorProduct data sheet 2001 Sep 10NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose double transistor BC847BVFEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2package2, 5 base TR1; TR2

 8.2. Size:53K  philips
bc847bpn 2.pdfpdf_icon

BC847BR

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETandbook, halfpageMBD128BC847BPNNPN/PNP general purposetransistor1999 Apr 26Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN/PNP general purpose transistor BC847BPNFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 e

 8.3. Size:51K  philips
bc847bs 2.pdfpdf_icon

BC847BR

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETandbook, halfpageMBD128BC847BSNPN general purpose doubletransistor1999 Apr 28Product specificationSupersedes the data of 1997 Jul 14Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose double transistor BC847BSFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 e

 8.4. Size:136K  philips
bc847bvn.pdfpdf_icon

BC847BR

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744BC847BVNNPN/PNP general purpose transistorProduct data sheet 2001 Nov 07Supersedes data of 2001 Aug 30NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP general purpose transistor BC847BVNFEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package1, 4 emitter TR1; TR2 Exce

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2N2566 | 2N1683 | BD850 | UN411D | 2SA1372 | 2SC341 | BC817-16Q

 

 
Back to Top

 


 
.