Справочник транзисторов. BC856AR

 

Биполярный транзистор BC856AR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC856AR
   Маркировка: 3AR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC856AR Datasheet (PDF)

 8.1. Size:251K  motorola
bc856awt bc857awt bc858awt.pdfpdf_icon

BC856AR

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC856AWT1/DGeneral Purpose TransistorsBC856AWT1,BWT1PNP SiliconBC857AWT1,BWT1COLLECTOR BC858AWT1,BWT1,These transistors are designed for general purpose amplifier3applications. They are housed in the SOT323/SC70 which is CWT1designed for low power surface mount applications.1Motorola Preferred DevicesB

 8.2. Size:249K  motorola
bc856alt bc857alt bc858alt.pdfpdf_icon

BC856AR

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC856ALT1/DBC856ALT1,BLT1General Purpose TransistorsBC857ALT1,PNP SiliconCOLLECTORBLT1,CLT13BC858ALT1,BLT1,CLT11BASEMotorola Preferred Devices2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC856 BC857 BC858 Unit3CollectorEmitter Voltage VCEO 65 45 30 V1CollectorBase Voltage VCBO 80

 8.3. Size:157K  nxp
bc856w bc856aw bc856bw bc857w bc857aw bc857bw bc857cw bc858w.pdfpdf_icon

BC856AR

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D102BC856W; BC857W; BC858WPNP general purpose transistorsProduct data sheet 2002 Feb 04Supersedes data of 1999 Apr 12NXP Semiconductors Product data sheetBC856W; BC857W; PNP general purpose transistorsBC858WFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V).1 base2 emitter

 8.4. Size:201K  nxp
bc856 bc856a bc856b bc857 bc857a bc857b bc857c bc858b.pdfpdf_icon

BC856AR

BC856; BC857; BC85865 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsRev. 7 16 April 2018 Product data sheet1 Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device(SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNexperia JEDECBC856 SOT23 TO-236AB BC846BC856A BC846ABC856B BC84

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: GET535 | 2SC2259 | DDTC123JUA | D33J24 | NSVMMUN2133LT1G | 2SC5305 | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.