Биполярный транзистор BCF32R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCF32R
Маркировка: D77
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
BCF32R Datasheet (PDF)
9.1. Size:47K philips
bcf32 3.pdf
bcf32 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BCF32NPN general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BCF32FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050