Биполярный транзистор BCF81 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCF81
Маркировка: K9_K9p
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
Корпус транзистора: SOT23
BCF81 Datasheet (PDF)
..1. Size:47K philips
bcf81 3.pdf
bcf81 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBCF81NPN general purpose transistor1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 May 22File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BCF81FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATION
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC1654N
History: 2SC1654N
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050