2N2779. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2779

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N2779

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2779 даташит

 9.1. Size:389K  rca
 2n277.pdf pdf_icon

2N2779

Другие транзисторы: 2N2771, 2N2772, 2N2773, 2N2774, 2N2775, 2N2776, 2N2777, 2N2778, TIP142, 2N277A, 2N278, 2N2780, 2N2781, 2N2782, 2N2783, 2N2784, 2N2784-46