BCP53T3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCP53T3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для BCP53T3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCP53T3 даташит
bcp53t1r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCP53T1/D PNP Silicon BCP53T1 Motorola Preferred Device Epitaxial Transistor This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier MEDIUM POWER applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for PNP SILICON medium power surface mount applications. HIGH CURRENT High C
bcp53t bcp53-10t bcp53-16t.pdf
BCP53T series 80 V, 1 A PNP medium power transistors Rev. 2 29 April 2019 Product data sheet 1. Product profile 1.1. General description PNP medium power transistors in a medium power SOT223 (SC73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN comlement Nexperia JEDEC BCP53T SOT223 SC-73 BCP56T BCP53-10T BCP56-10T BCP53-16T BCP56
bcp51ta bcp5110ta bcp5116ta bcp5116tc bcp52ta bcp5210ta bcp5216ta bcp53ta bcp53qta bcp5310ta bcp5316ta bcp5316qta bcp5316tc.pdf
BCP 51/ 52/ 53 PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > -45V, -60V & -80V Case SOT223 IC = -1A High Continuous Collector Current Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = -2A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Sa
sbcp53t1g.pdf
BCP53 Series PNP Silicon Epitaxial Transistors This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. http //onsemi.com High Current NPN Complement is BCP56 MEDIUM POWER HIGH The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow
Другие транзисторы: BCP52T1, BCP52T3, BCP53, BCP53-10, BCP53-10T1, BCP53-16, BCP53-16T1, BCP53T1, TIP42, BCP54, BCP54-10, BCP54-10T1, BCP54-10T3, BCP54-16, BCP54-16T1, BCP54-16T3, BCP55
History: 2SD481
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor










