Справочник транзисторов. BCP53T3

 

Биполярный транзистор BCP53T3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCP53T3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCP53T3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:99K  motorola
bcp53t1r.pdfpdf_icon

BCP53T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCP53T1/DPNP Silicon BCP53T1Motorola Preferred DeviceEpitaxial TransistorThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifierMEDIUM POWERapplications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed forPNP SILICONmedium power surface mount applications.HIGH CURRENT High C

 8.2. Size:268K  nxp
bcp53t bcp53-10t bcp53-16t.pdfpdf_icon

BCP53T3

BCP53T series80 V, 1 A PNP medium power transistorsRev. 2 29 April 2019 Product data sheet1. Product profile1.1. General descriptionPNP medium power transistors in a medium power SOT223 (SC73) Surface-Mounted Device(SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN comlementNexperia JEDECBCP53T SOT223 SC-73 BCP56TBCP53-10T BCP56-10TBCP53-16T BCP56

 8.3. Size:393K  diodes
bcp51ta bcp5110ta bcp5116ta bcp5116tc bcp52ta bcp5210ta bcp5216ta bcp53ta bcp53qta bcp5310ta bcp5316ta bcp5316qta bcp5316tc.pdfpdf_icon

BCP53T3

BCP 51/ 52/ 53 PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > -45V, -60V & -80V Case: SOT223 IC = -1A High Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = -2A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Sa

 8.4. Size:69K  onsemi
sbcp53t1g.pdfpdf_icon

BCP53T3

BCP53 SeriesPNP SiliconEpitaxial TransistorsThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audioamplifier applications. The device is housed in the SOT-223 packagewhich is designed for medium power surface mount applications.http://onsemi.com High Current NPN Complement is BCP56MEDIUM POWER HIGH The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow

Другие транзисторы... BCP52T1 , BCP52T3 , BCP53 , BCP53-10 , BCP53-10T1 , BCP53-16 , BCP53-16T1 , BCP53T1 , TIP127 , BCP54 , BCP54-10 , BCP54-10T1 , BCP54-10T3 , BCP54-16 , BCP54-16T1 , BCP54-16T3 , BCP55 .

History: TP4250 | BCP56-10T1G | BCP69-16 | TP9012NND03 | BD825-6 | BCF29 | BD695A

 

 
Back to Top

 


 
.