Справочник транзисторов. BCR119S

 

Биполярный транзистор BCR119S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR119S
   Маркировка: WKs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для BCR119S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR119S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  siemens
bcr119s.pdfpdf_icon

BCR119S

BCR 119SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built bias resistor (R1=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 119S WKs Q62702-C2415 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollecto

 0.1. Size:253K  infineon
bcr119series.pdfpdf_icon

BCR119S

BCR119...NPN silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=4.7 k) BCR119S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR119S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101BCR

 8.1. Size:34K  siemens
bcr119.pdfpdf_icon

BCR119S

BCR 119NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 119 WKs Q62702-C2255 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage VEB

 8.2. Size:34K  siemens
bcr119w.pdfpdf_icon

BCR119S

BCR 119WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 119W WKs Q62702-C2285 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage

Другие транзисторы... BCR108 , BCR108S , BCR108W , BCR10PN , BCR112 , BCR116 , BCR116W , BCR119 , C945 , BCR133 , BCR133S , BCR133W , BCR135 , BCR135S , BCR135W , BCR141 , BCR141S .

History: FJY3002R | MSD1328RT1 | 2SC1672

 

 
Back to Top

 


 
.