BCR133S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR133S

Маркировка: WCs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BCR133S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR133S даташит

 ..1. Size:43K  siemens
 bcr133s.pdf pdf_icon

BCR133S

BCR 133S NPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistors (R1=10k , R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 133S WCs Q62702-C2376 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values

 8.1. Size:35K  siemens
 bcr133.pdf pdf_icon

BCR133S

BCR 133 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k , R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 133 WCs Q62702-C2256 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base v

 8.2. Size:34K  siemens
 bcr133w.pdf pdf_icon

BCR133S

BCR 133W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k , R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 133W WCs Q62702-C2286 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-bas

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr135.pdf pdf_icon

BCR133S

BCR 135 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 135 WJs Q62702-C2257 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR108W, BCR10PN, BCR112, BCR116, BCR116W, BCR119, BCR119S, BCR133, 2N3904, BCR133W, BCR135, BCR135S, BCR135W, BCR141, BCR141S, BCR141W, BCR142