Справочник транзисторов. BCR135W

 

Биполярный транзистор BCR135W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR135W
   Маркировка: WJs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для BCR135W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR135W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  siemens
 bcr135w.pdf pdf_icon

BCR135W

BCR 135WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k, R2=47K)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 135W WJs Q62702-C2287 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-bas

 8.1. Size:35K  siemens
 bcr135.pdf pdf_icon

BCR135W

BCR 135NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 135 WJs Q62702-C2257 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base

 8.2. Size:43K  siemens
 bcr135s.pdf pdf_icon

BCR135W

BCR 135SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=10k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 135S WJs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U

 9.1. Size:43K  siemens
 bcr133s.pdf pdf_icon

BCR135W

BCR 133SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistors (R1=10k, R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 133S WCs Q62702-C2376 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BCR116W , BCR119 , BCR119S , BCR133 , BCR133S , BCR133W , BCR135 , BCR135S , 2N2222 , BCR141 , BCR141S , BCR141W , BCR142 , BCR142W , BCR146 , BCR146W , BCR148 .

History: 2SC752G | BDY39 | LMBT5551DW1T3G | 2SC3140

 

 
Back to Top

 


 
.