Биполярный транзистор BCR148S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR148S
Маркировка: WEs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT363
BCR148S Datasheet (PDF)
bcr148s.pdf
BCR 148SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvaniv) internal isolated Transistors driver circuit Built in bias resistor (R1=47k, R2=47K)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 148S WEs Q62702-C2417 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U
bcr148 bcr148s bcr148w.pdf
BCR148...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit Built in bias resistor (R1=47 k, R2=47 k) BCR148S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR148S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according
bcr148w.pdf
BCR 148WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=47k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 148W WEs Q62702-C2291 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-bas
bcr148.pdf
BCR 148NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=47k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 148 WEs Q62702-C2261 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base v
bcr148f.pdf
BCR148...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit Built in bias resistor (R1=47 k, R2=47 k) BCR148S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR148S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified accordin
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050