BCR148S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR148S

Маркировка: WEs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BCR148S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR148S даташит

 ..1. Size:43K  siemens
 bcr148s.pdf pdf_icon

BCR148S

BCR 148S NPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvaniv) internal isolated Transistors driver circuit Built in bias resistor (R1=47k , R2=47K ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 148S WEs Q62702-C2417 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values U

 ..2. Size:867K  infineon
 bcr148 bcr148s bcr148w.pdf pdf_icon

BCR148S

BCR148... NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit Built in bias resistor (R1=47 k , R2=47 k ) BCR148S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR148S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according

 8.1. Size:34K  siemens
 bcr148w.pdf pdf_icon

BCR148S

BCR 148W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=47k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 148W WEs Q62702-C2291 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-bas

 8.2. Size:35K  siemens
 bcr148.pdf pdf_icon

BCR148S

BCR 148 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=47k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 148 WEs Q62702-C2261 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base v

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR141, BCR141S, BCR141W, BCR142, BCR142W, BCR146, BCR146W, BCR148, TIP122, BCR148W, BCR158, BCR158W, BCR162, BCR166, BCR166W, BCR169, BCR169S