Биполярный транзистор BCR148W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR148W
Маркировка: WEs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT323
BCR148W Datasheet (PDF)
bcr148w.pdf
BCR 148WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=47k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 148W WEs Q62702-C2291 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-bas
bcr148 bcr148s bcr148w.pdf
BCR148...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit Built in bias resistor (R1=47 k, R2=47 k) BCR148S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR148S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according
bcr148s.pdf
BCR 148SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvaniv) internal isolated Transistors driver circuit Built in bias resistor (R1=47k, R2=47K)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 148S WEs Q62702-C2417 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U
bcr148.pdf
BCR 148NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=47k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 148 WEs Q62702-C2261 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base v
bcr148f.pdf
BCR148...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit Built in bias resistor (R1=47 k, R2=47 k) BCR148S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR148S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified accordin
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050