Биполярный транзистор BCR162 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BCR162
Маркировка: WU_WUs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BCR162 Datasheet (PDF)
bcr162.pdf

BCR 162PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, drivere circuit Built in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 162 WUs Q62702-C2378 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base volt
bcr162w.pdf

BCR 162WPNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, drivere circuit Built in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 162W WUs UPON INQUIRY 1=B 2=E 3=C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base v
bcr162series.pdf

BCR162...PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k , R2 = 4.7k ) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101BCR162/FC3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR162 WUs 1=B 2=E 2=C - - - SOT23 BCR162F WUs 1=B 2=E 2=C - -
bcr166.pdf

BCR 166PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 166 WTs Q62702-C2339 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltag
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: MJD47T4 | 2SA85 | 2N3036 | 2SB374 | DSS9110Y | FM2846 | TIS91M
History: MJD47T4 | 2SA85 | 2N3036 | 2SB374 | DSS9110Y | FM2846 | TIS91M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf