BCR166. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR166

Маркировка: WT_WTs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCR166

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR166 даташит

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr166.pdf pdf_icon

BCR166

BCR 166 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 166 WTs Q62702-C2339 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltag

 0.1. Size:34K  siemens
 bcr166w.pdf pdf_icon

BCR166

BCR 166W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 166W WTs UPON INQUIRY 1=B 2=E 3=C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base vol

 0.2. Size:116K  infineon
 bcr166series.pdf pdf_icon

BCR166

BCR166... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7 k , R2 = 47 k ) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 BCR166/F BCR166W C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07183 Type Marking Pin Configuration Package BCR166 WTs 1=B 2=E 3=C - - - SOT23 BCR166F WTs 1=B 2=

 9.1. Size:34K  siemens
 bcr169w.pdf pdf_icon

BCR166

BCR 169W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169W WSs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR146, BCR146W, BCR148, BCR148S, BCR148W, BCR158, BCR158W, BCR162, D882, BCR166W, BCR169, BCR169S, BCR183, BCR183S, BCR185, BCR185S, BCR185W