Справочник транзисторов. BCR169S

 

Биполярный транзистор BCR169S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR169S
   Маркировка: WS_WSs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для BCR169S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR169S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  siemens
bcr169s.pdfpdf_icon

BCR169S

BCR 169SPNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 169S WSs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitColle

 8.1. Size:34K  siemens
bcr169w.pdfpdf_icon

BCR169S

BCR 169WPNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 169W WSs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltag

 8.2. Size:34K  siemens
bcr169.pdfpdf_icon

BCR169S

BCR 169PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 169 WSs Q62702-C2340 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage VEBO 5

 8.3. Size:865K  infineon
bcr169w.pdfpdf_icon

BCR169S

BCR169...PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7 k) BCR169S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR169S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101

Другие транзисторы... BCR148S , BCR148W , BCR158 , BCR158W , BCR162 , BCR166 , BCR166W , BCR169 , BC548 , BCR183 , BCR183S , BCR185 , BCR185S , BCR185W , BCR191 , BCR191S , BCR192 .

History: RN2108F | 2SA20

 

 
Back to Top

 


 
.