BCR169S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR169S

Маркировка: WS_WSs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BCR169S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR169S даташит

 ..1. Size:42K  siemens
 bcr169s.pdf pdf_icon

BCR169S

BCR 169S PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169S WSs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Colle

 8.1. Size:34K  siemens
 bcr169w.pdf pdf_icon

BCR169S

BCR 169W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169W WSs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltag

 8.2. Size:34K  siemens
 bcr169.pdf pdf_icon

BCR169S

BCR 169 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169 WSs Q62702-C2340 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5

 8.3. Size:865K  infineon
 bcr169w.pdf pdf_icon

BCR169S

BCR169... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7 k ) BCR169S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR169S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR148S, BCR148W, BCR158, BCR158W, BCR162, BCR166, BCR166W, BCR169, 13009, BCR183, BCR183S, BCR185, BCR185S, BCR185W, BCR191, BCR191S, BCR192