Биполярный транзистор BCR183 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR183
Маркировка: WMs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT23
BCR183 Datasheet (PDF)
bcr183.pdf
BCR 183PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 10k, R2 = 10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 183 WMs Q62702-C2262 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage
bcr183s.pdf
BCR 183SPNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 10k, R2 = 10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 183S WMs Q62702-C2377 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCB
bcr183w.pdf
BCR 183WPNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 10k, R2 = 10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 183W WMs Q62702-C2276 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base
bcr183u.pdf
BCR183...PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 10 k , R2 = 10 k) BCR183S / U: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR183S / U: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualif
bcr183w.pdf
BCR183...PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 10 k , R2 = 10 k) BCR183S / U: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR183S / U: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualif
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050