BCR185W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR185W

Маркировка: WNs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BCR185W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR185W даташит

 ..1. Size:34K  siemens
 bcr185w.pdf pdf_icon

BCR185W

BCR 185W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 10k , R2 = 47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 185W WNs Q62702-C2280 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter

 8.1. Size:43K  siemens
 bcr185s.pdf pdf_icon

BCR185W

BCR 185S PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in biase resistor (R1=10k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 185S WNs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values

 8.2. Size:35K  siemens
 bcr185.pdf pdf_icon

BCR185W

BCR 185 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 185 WNs Q62702-C2263 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage

 8.3. Size:252K  infineon
 bcr185f.pdf pdf_icon

BCR185W

BCR185... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 10 k , R2 = 47 k ) BCR185S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR185S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR166, BCR166W, BCR169, BCR169S, BCR183, BCR183S, BCR185, BCR185S, 2SD718, BCR191, BCR191S, BCR192, BCR196, BCR196W, BCR198, BCR198S, BCR198W