Биполярный транзистор BCR191S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR191S
Маркировка: WOs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT-363
BCR191S Datasheet (PDF)
bcr191s.pdf
BCR 191SPNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=22k, R2=22k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 191S WOs Q62702-C2418 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U
bcr191series.pdf
BCR191...PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 22 k , R2 = 22 k ) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101BCR191/FBCR191WC3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR191 WOs 1=B 2=E 3=C - - - SOT23 BCR191F WOs 1=B 2=E
bcr191.pdf
BCR 191PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=22k, R2=22k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 191 WOs Q62702-C2264 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage
bcr191w.pdf
BCR 191WPNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=22k, R2=22k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 191W WOs Q62702-C2281 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-bas
bcr191w.pdf
BCR191...PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 22 k , R2 = 22 k ) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR191BCR191WC3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR191 WOs 1=B 2=E 3=C - - - SOT23 BCR191W WOs 1=B 2=E 3=C
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SC4325 | FT3055 | JE9113B | 2N4425
History: 2SC4325 | FT3055 | JE9113B | 2N4425
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050