BCR191S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR191S

Маркировка: WOs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для BCR191S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR191S даташит

 ..1. Size:43K  siemens
 bcr191s.pdf pdf_icon

BCR191S

BCR 191S PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=22k , R2=22k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 191S WOs Q62702-C2418 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values U

 0.1. Size:179K  infineon
 bcr191series.pdf pdf_icon

BCR191S

BCR191... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 22 k , R2 = 22 k ) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 BCR191/F BCR191W C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07183 Type Marking Pin Configuration Package BCR191 WOs 1=B 2=E 3=C - - - SOT23 BCR191F WOs 1=B 2=E

 8.1. Size:35K  siemens
 bcr191.pdf pdf_icon

BCR191S

BCR 191 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=22k , R2=22k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 191 WOs Q62702-C2264 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage

 8.2. Size:34K  siemens
 bcr191w.pdf pdf_icon

BCR191S

BCR 191W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=22k , R2=22k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 191W WOs Q62702-C2281 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-bas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR169, BCR169S, BCR183, BCR183S, BCR185, BCR185S, BCR185W, BCR191, 2SD1047, BCR192, BCR196, BCR196W, BCR198, BCR198S, BCR198W, BCR22PN, BCR35PN