Биполярный транзистор BCR505 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR505
Маркировка: XWs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
BCR505 Datasheet (PDF)
bcr505.pdf
BCR 505NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 505 XWs Q62702-C2354 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base
bcr505.pdf
BCR505NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR505 XWs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VC
bcr503.pdf
BCR 503NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=2.2k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 503 XAs Q62702-C2370 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base
bcr503.pdf
BCR503NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 2.2 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR503 XAs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050