Справочник транзисторов. BCR505

 

Биполярный транзистор BCR505 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR505
   Маркировка: XWs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCR505 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr505.pdf pdf_icon

BCR505

BCR 505NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 505 XWs Q62702-C2354 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base

 ..2. Size:525K  infineon
 bcr505.pdf pdf_icon

BCR505

BCR505NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR505 XWs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VC

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr503.pdf pdf_icon

BCR505

BCR 503NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=2.2k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 503 XAs Q62702-C2370 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base

 9.2. Size:525K  infineon
 bcr503.pdf pdf_icon

BCR505

BCR503NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 2.2 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR503 XAs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SA1987 | CMBA857F | BC477A | KTC3229 | RCA8638E | RT1N231C | 2N5842

 

 
Back to Top

 


 
.