BCR521. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR521

Маркировка: XVs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCR521

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR521 даташит

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr521.pdf pdf_icon

BCR521

BCR 521 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=1k , R2=1k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 521 XVs Q62702-C2355 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base vol

 ..2. Size:525K  infineon
 bcr521.pdf pdf_icon

BCR521

BCR521 NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 1 k ) 2 3 Pb-free (RoHS compliant) package 1 Qualified according AEC Q101 C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07184 Type Marking Pin Configuration Package BCR521 XVs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 Collector-base voltage VCBO

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr523.pdf pdf_icon

BCR521

BCR 523 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=1k ,R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 523 XGs C62702-C2487 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5

 9.2. Size:847K  infineon
 bcr523series.pdf pdf_icon

BCR521

BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR198W, BCR22PN, BCR35PN, BCR48PN, BCR503, BCR505, BCR512, BCR519, TIP35C, BCR523, BCR533, BCR553, BCR555, BCR562, BCR569, BCR571, BCR573