BCV61C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCV61C
Маркировка: 1L_1Lp_1Ls_D94
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110
Корпус транзистора: SOT143
Аналоги (замена) для BCV61C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCV61C даташит
bcv61b bcv61c.pdf
BCV61 NPN Silicon Double Transistor To be used as a current mirror 3 Good thermal coupling and VBE matching 2 4 High current gain 1 Low collector-emitter saturation voltage Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 C1 (2) C2 (1) Tr.1 Tr.2 E1 (3) E2 (4) EHA00012 Type Marking Pin Configuration Package BCV61B 1Ks 1 = C2 2 = C1 3 = E1 4 =
bcv61c.pdf
BCV61C Features Low Current Low Voltage NPN Matched Pairs Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" General-purpose Moisture Sensitivity Level 1 Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Double Transistor Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings @ 25 C Unless Othe
bcv61.pdf
BCV61 NPN general-purpose double transistors Rev. 04 18 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA BCV61 SOT143B - BCV62 BCV61A BCV62A BCV61B BCV62B BCV61C BCV62C 1.2 Fea
bcv61 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BCV61 NPN general purpose double transistor 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 16 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose double transistor BCV61 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V) 1 collector TR2; base TR1 and TR2 Matched pai
Другие транзисторы: BCV48, BCV49, BCV61, 2SB562-B, BCV61A, 2SB1721-Z, BCV61B, 2SB1644JFRA, 2SC5198, 2SB1669, BCV62, 2SB1669-Z, BCV62A, 2SB1694FRA, BCV62B, 2SB1695KFRA, BCV62C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet







