Аналоги 2SB1694FRA. Основные параметры
Наименование производителя: 2SB1694FRA
Маркировка: ES
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для 2SB1694FRA
2SB1694FRA даташит
2sb1694fra.pdf
2SB1694 2SB1694FRA Datasheet PNP -1A -30V Low Frequency Amplifier Transistors AEC-Q101 Qualified lOutline UMT3 Parameter Value Collector VCEO -30V Base IC -1A Emitter 2SB1694FRA 2SB1694 SOT-323 (SC-70) lFeatures 1) A Collecotr current is large.General Purpose. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) is Max. -380mV At IC= -500mA, IB= -25mA 3) Complementary NPN Ty
2sb1694.pdf
2SB1694 Datasheet General purpose amplification (-30V, -1A) lOutline l SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO -30V IC -1A UMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)A collector current is large 2)Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat) -380mV at IC=-500mA/IB=-25mA 3)Complements the 2SD2656. lApplication l LOW FREQUENC
2sb1691.pdf
2SB1691 Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier REJ03G0482-0200 (Previous ADE-208-1387A (Z)) Rev.2.00 Dec.09.2004 Features Small size package MPAK (SC 59A) Large Maximum current IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/ 0.05 A) High power dissipation PC = 800 mW (when usi
r07ds0272ej 2sb1691-1.pdf
Preliminary Datasheet 2SB1691 R07DS0272EJ0300 (Previous REJ03G0482-0200) Silicon PNP Epitaxial Planer Rev.3.00 Low Frequency Power Amplifier Mar 28, 2011 Features Small size package MPAK (SC 59A) Large Maximum current IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/ 0.05 A) High power dissipation
Другие транзисторы... 2SB1721-Z , BCV61B , 2SB1644JFRA , BCV61C , 2SB1669 , BCV62 , 2SB1669-Z , BCV62A , BC549 , BCV62B , 2SB1695KFRA , BCV62C , 2SB1721 , BCV71 , BCV71R , BCV72 , BCV72R .
History: MJH10012 | MJF16010A
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent














