2SB1695KFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1695KFRA

Маркировка: T146

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT346

 Аналоги (замена) для 2SB1695KFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1695KFRA даташит

 ..1. Size:942K  rohm
2sb1695kfra.pdfpdf_icon

2SB1695KFRA

2SB1695KFRA AEC-Q101 Qualified 2SB1695KFRA

 6.1. Size:1510K  rohm
2sb1695k.pdfpdf_icon

2SB1695KFRA

2SB1695K Datasheet Datasheet General purpose amplification(-30V,-1.5A) lOutline l SOT-346 Parameter Value SC-59 VCEO -30V IC -1.5A SMT3 lFeatures lInner circuit l l 1) Collector current is large. 2) VCE(sat) -370mV at IC= -1A / IB= -50mA 3) Complementary NPN Types 2SD2657K lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER

 7.1. Size:105K  rohm
2sb1695.pdfpdf_icon

2SB1695KFRA

2SB1695 Transistors Low frequency amplifier 2SB1695 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier TSMT3 Driver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) -370mV ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 at IC =-1A / IB =-50mA 0.16 1.9 (1) Base (2) Emitter Each lead has same dimensions (3) Collector Packaging spec

 8.1. Size:77K  renesas
2sb1691.pdfpdf_icon

2SB1695KFRA

2SB1691 Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier REJ03G0482-0200 (Previous ADE-208-1387A (Z)) Rev.2.00 Dec.09.2004 Features Small size package MPAK (SC 59A) Large Maximum current IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/ 0.05 A) High power dissipation PC = 800 mW (when usi

Другие транзисторы: 2SB1644JFRA, BCV61C, 2SB1669, BCV62, 2SB1669-Z, BCV62A, 2SB1694FRA, BCV62B, 2SA1015, BCV62C, 2SB1721, BCV71, BCV71R, BCV72, BCV72R, BCW10, BCW10K