BCW30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW30

Маркировка: C2_C2p_C2t_C2W_GC2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 215

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для BCW30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW30 даташит

 ..1. Size:47K  philips
bcw29 bcw30 4.pdfpdf_icon

BCW30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BCW29; BCW30 PNP general purpose transistors 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 03 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCW29; BCW30 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS

 ..2. Size:111K  philips
bcw29 bcw30 2.pdfpdf_icon

BCW30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BCW29; BCW30 PNP general purpose transistors Product data sheet 2004 Jan 13 Supersedes data of 1999 Apr 13 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose transistors BCW29; BCW30 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector General purpose

 ..3. Size:37K  st
bcw30.pdfpdf_icon

BCW30

BCW30 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS Type Marking BCW30 C2 SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING 2 CIRCUITS LOW LEVEL AUDIO AMPLIFICATION AND 3 SWITCHING 1 SOT-23 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit V Collector-Emitter Voltage (V = 0) -32 V CES BE VCEO Collector-Emitt

 ..4. Size:45K  fairchild semi
bcw30.pdfpdf_icon

BCW30

BCW30 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers 3 and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from process 68. 2 SOT-23 1 Mark C2 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings * TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VCES Collecto

Другие транзисторы: BCW26, BCW27, BCW28, BCW29, BCW29CSM, BCW29LT1, BCW29LT3, BCW29R, BC558, BCW30CSM, BCW30LT1, BCW30LT3, BCW30R, BCW31, BCW31CSM, BCW31LT1, BCW31LT3